IXFN80N48【PDF 1/2 页】MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

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Sheet目录456

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HiPerFET TM

Power MOSFETs

Single Die MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr

Preliminary data sheet

IXFN 80N48

V DSS

I D25

R DS(on)

= 480 V

= 80 A

= 45 m W

Symbol

V DSS

V DGR

V GS

Test Conditions

T J = 25 ° C to 150 ° C

T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W

Continuous

Maximum Ratings

480 V

± 20 V

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

V GSM

Transient

± 30

I D25

I DM

I AR

T C = 25 ° C, Chip capability

T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM

T C = 25 ° C

320

E AR

E AS

dv/dt

T C = 25 ° C

I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,

T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W

V/ns

G = Gate D = Drain

S = Source

Either Source terminal of miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

P D

T J

T JM

T stg

V ISOL

M d

Weight

Symbol

V DSS

V GH(th)

I GSS

T C = 25 ° C

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I ISOL ￡ 1 mA t=1s

Mounting torque

Terminal connection torque

Test Conditions

V GS = 0 V, I D = 3 mA

V DS = V GS , I D = 8 mA

V GS = ± 20 V DC , V DS = 0

700 W

-55 ... +150 ° C

150 ° C

-55 ... +150 ° C

2500 V~

3000 V~

1.5/13 Nm/lb.in.

30 g

Characteristic Values

(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

480 V

2 4 V

± 200 nA

Features

? International standard packages

? miniBLOC, with Aluminium nitride

isolation

? Low R DS (on) HDMOS TM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

? Low package inductance

? Fast intrinsic Rectifier

Applications

? DC-DC converters

? Battery chargers

? Switched-mode and resonant-mode

power supplies

? DC choppers

? Temperature and lighting controls

I DSS

R DS(on)

V DS = V DSS

V GS = 0 V

V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25

Pulse test, t ￡ 300 m s,

duty cycle d ￡ 2 %

T J = 25 ° C

T J = 125 ° C

100

m A

m W

Advantages

? Easy to mount

? Space savings

? High power density

98724 (05/31/00)

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IXFN80N50 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFN80N50P 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFN80N50Q2 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFN80N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFN80N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFN82N60P 功能描述:MOSFET DIODE Id82 BVdass600 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFN82N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IXFN90N30 功能描述:MOSFET 90 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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